當前，量產的晶體管已經進入4nm尺度，3nm研發(fā)也已經凍結進入試產。

在11月于日本舉辦的線上ITF大會上，半導體行業(yè)大腦imec（比利時微電子研究中心）公布了未來十年的技術藍圖。

據(jù)悉，2025年后，晶體管微縮化進入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1納米），時間節(jié)點的規(guī)劃是，2025年A14（14?=1.4納米）、2027年為A10（10?=1nm）、2029年為A7（7?＝0.7納米）。

微觀晶體管結構層面，imec試圖在14?節(jié)點使用Forksheet結構（p型和n型納米片晶體管成對排列，類似于用餐的叉子），10?節(jié)點試圖采用CEFT結構，1納米（10?）以下計劃采用原子形狀的溝道，依賴Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機來實現(xiàn)。

說到High NA EUV光刻機（0.55NA），一號原型機（EXE:5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯(lián)合實驗室，2026年量產，從而服務1nm及更先進的節(jié)點。